CQ9电子香港特区政府创新科技及工业局局长孙东教授7月30日于第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼上致辞全球半导体产业正急速发展，规模预计在2030年可超过一万亿美元，潜力无限。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术，能优化产品性能，提升稳定性，为行业带来性突破。

　　据介绍，麻省光子技术计划于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元，带动第三代半导体产业链发展。

　　当天的活动上，由香港特区政府创新科技及工业局局长孙东、副局长张曼莉、引进重点企业办公室副总裁(先进制造及新能源科技)王国藩等见证合作协议签署仪式CQ9电子。

　　孙东致辞指，特区政府以产业导向为原则，积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于今年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研合作。这次麻省光子技术落户香港确切回应了发展战略，特区政府会继续引入更多优秀的科技企业来港发展和投资，发挥协同效应，让微电子及其他科技产业在香港做大做强。

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