CQ9电子金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示CQ9电子，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆“CQ9电子，公开号 CN4.6 ，申请日期为 2024 年 5 月 。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆CQ9电子，属于半导体技术领域。碳化硅场效应晶体管包括：沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层CQ9电子、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层；两个源极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层，源极沟槽的槽口朝向源极层，源极层向源极沟槽内延伸，源极沟槽内填充有延伸的源极层；栅极沟槽设置于两个源极沟槽之间，栅极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层CQ9电子，栅极沟槽的槽口朝向源极层；第二掺杂第一子区域设置于源极沟槽底部远离所述源极层的一侧，且朝向第一掺杂衬底层的方向延伸。可以提高栅极沟槽的击穿电压。